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    半導體二極管雙端泵浦高功率紫外激光器專利內

    要求(專利)號:CN200810020724.7要求日:2008.02.22
    揭露(布告)號:CN101232148揭露(布告)日:2008.07.30
    主分類號:H01S3/0941(2006.01)I領域分類:
    分類號:H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/05(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/109(2006.01)I;H01S3/00(2006.01)I
    要求(專利權)人:姑蘇德龍激光有限公司
    地址:215021江蘇省姑蘇市工業園區蘇虹中路77號
    國省代碼:江蘇;32
    創造(規劃)人:趙裕興;李立衛;呂楠楠
    專利署理組織:南京蘇科專利署理有限責任公司
    署理人:陳忠輝;姚姣陽
    ★ 摘要
       本創造供給半導體二極管雙端泵浦高功率紫外激光器的規劃辦法,選用兩個半導體二級管構成雙端泵浦激光晶體,輸出808nm泵浦光通過非球面光學耦合系統及透鏡耦合到激光晶體發生1064nm激光,再通過由五個平面鏡構成的諧振腔進行腔內振動,并由Q開關調制;調制后的1064nm基頻光兩次通過二倍頻晶體進行1064nm基頻光到532nm倍頻光的變換,未完成倍頻變換的1064nm基頻光與532nm倍頻光通過三倍頻晶體和頻,得到的355nm紫外激光從三倍頻晶體布儒斯特角切開的一面輸出。該計劃激光腔內具有較大模體積,倍頻晶體處具有小的激光光斑,三倍頻晶體選用布儒斯特角切開辦法大大減小了腔內損耗,完成高功率激光輸出。
    ★ 主權項
        半導體二極管雙端泵浦高功率紫外激光器的規劃辦法,其特征在于:選用兩個半導體二極管(1、9)構成雙端泵浦辦法泵浦激光晶體,其間一個半導體二極管(1)輸出的808nm泵浦光通過由兩個非球面透鏡(2、3)構成的非球面光學耦合系統及透鏡(4)耦合到激光晶體(5)內,另一個半導體二極管(9)輸出的808nm泵浦光通過由兩個非球面透鏡(8、7)構成的非球面光學耦合系統及透鏡(6)也耦合到激光晶體(5)內,發生的1064nm激光通過由五個平面鏡(11、12、13、14、15)構成的諧振腔進行腔內振動,并由Q開關(10)進行調制;調制的1064nm基頻光兩次通過二倍頻晶體(16)進行1064nm基頻光到532nm倍頻光的變換,未完成二次倍頻變換的剩下1064nm基頻光與532nm倍頻光通過三倍頻晶體(17)進行和頻,得到的355nm紫外激光從三倍頻晶體布儒斯特角切開的一面輸出。
     


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