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    從深紫外至遠紅外光的探測器及制備辦法專利

    要求(專利)號:CN200610114105.5要求日:2006.10.27
    揭露(布告)號:CN101170147揭露(布告)日:2008.04.30
    主分類號:H01L31/109(2006.01)I領域分類:
    分類號:H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
    要求(專利權)人:中國科學院物理研究所
    地址:100080北京市海淀區中關村南三街8號
    國省代碼:北京;11
    創造(規劃)人:孫志輝;周岳亮;寧廷銀;曹玲柱;張洪艷;陸珩;劉知韻
    專利署理組織:北京泛華偉業知識產權署理有限公司
    署理人:高存秀
    ★ 摘要
       本創造供給了一種從深紫外至遠紅外光的探測器及制備辦法,該探測器包含:一基底、榜首電極、第二電極和電極引線;其特征在于,所述的基底為n型SiC片,還包含在SiC的基底上成長一層p型的La1-xSrxMnO3光呼應資料層,其間光呼應資料層厚度為0.8nm-2μm;所述的La1-xSrxMnO3光呼應資料層,其間x為0.01-0.5;榜首電極設置在La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼應資料層上,第二電極設置在SiC的基底上,榜首電極引線和第二電極引線別離連接在榜首電極和第二電極上。該制備辦法包含選用慣例的制膜設備和技術,首要制出La1-xSrxMnO3/SiC異質結資料,然后再制造光探測器。當光照耀探測器后直接發生電壓信號,不需要任何輔佐的電源和電子電路。其呼應波段從紫外到遠紅外,光生電壓信號可達數百mV。
    ★ 主權項
        一種從深紫外至遠紅外光的探測器,包含:一基底、榜首電極、第二電極和電極引線;其特征在于,所述的基底為n型SiC片,還包含再在SiC的基底上成長一層p型的La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼應資料層,薄膜厚度為0.8nm-2μm;所述的La1-xSrxMnO3光呼應資料層,其間x為0.01-0.5;榜首電極設置在La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼應資料層上,第二電極設置在SiC的基底上,榜首電極引線和第二電極引線連接在電極上。


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